英伟达与台积电携手发力，黄仁勋即将讲话引关注

今日（10月19日），芯片行业传来重磅消息。英伟达与台积电的股价在美股夜盘交易中显著上涨，英伟达涨幅达到1.73%，而台积电则上涨1.80%。与此同时，美指期货、道指期货和纳指期货也纷纷上涨，表明市场对这一消息的积极反应。

根据韩国《首尔经济日报》的报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺来生产英伟达下一代定制高带宽存储器（HBM）的基础裸片。这一合作备受瞩目，同时英伟达CEO黄仁勋即将在10月20日至22日于德国柏林举行的英伟达GTC大会上发表主题演讲。大会的重点从过去的“销售GPU”转向“销售AI工厂”，将聚焦包括加速计算、智能体AI、物理AI、机器人技术和AI基础设施等领域。

过去，三星的HBM产品都是由自家生产，但此次针对英伟达的NVHBM，三星将转变生产策略，与英伟达合作以更符合其技术要求，摒弃原有的一站式制造方式，采用分环节合作。业内人士透露，英伟达已要求其三家主要供应商——三星、SK海力士和美光科技——均采取台积电的3纳米工艺来制造基础裸片，同时要求核心裸片使用第六代DRAM工艺（代号1c）。NVHBM是英伟达在8月推出的定制HBM，基于更先进的下一代HBM架构HBM4E。 球友会直播官网

四年前，三星与台积电曾在HBM与GPU连接的兼容性上进行合作，但这次是二者首次在HBM制造步骤上展开协作。尽管如此，三星在标准HBM产品上的一站式策略不会改变，其第六代HBM4已经在全球首发量产，第七代HBM4E也在进行量产验证。

同时，三星在供货给AMD等其他客户的定制HBM方面，仍计划维持一站式方案，且也没有排除在自家晶圆代工厂开发和量产NVHBM的可能性。业内人士表示，这样做是为了应对NVHBM的需求可能会超出台积电的产能，从而采取的预防措施。